[年报]中微公司(688012):2025年年度报告
原标题:中微公司:2025年年度报告 2025年年度报告 重要提示 (一)本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 一、公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是√否 二、重大风险提示 报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅第三节管理层讨论与分析“四、风险因素”部分内容。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、普华永道中天会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 五、公司负责人尹志尧、主管会计工作负责人陈伟文及会计机构负责人（会计主管人员）陈伟文声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案公司拟向全体股东每10股派发现金红利3.50元（含税）。截至本公告披露日，公司总股本626,145,307股，以此计算合计拟派发现金红利219,150,857.45元（含税）。 公司拟以资本公积金向全体股东每10股转增4.9股。截至本公告披露日，公司总股本626,145,307股，以此计算合计转增306,811,200股，转增后公司总股本将增加至932,956,507股（具体以中国证券登记结算有限责任公司登记为准）。 上述事项已经董事会审议通过，尚需提交股东会审议。 母公司存在未弥补亏损 □适用√不适用 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本年度报告中涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，投资者及相关人士均应当对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异，敬请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否 十二、 其他 □适用√不适用 目录 第一节 释义....................................................................................................................................22 第二节 公司简介和主要财务指标................................................................................................23 第三节 管理层讨论与分析............................................................................................................28 第四节 公司治理、环境和社会....................................................................................................78 第五节 重要事项..........................................................................................................................107 第六节 股份变动及股东情况......................................................................................................127 第七节 债券相关情况..................................................................................................................134 第八节 财务报告..........................................................................................................................135
一、 释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
一、公司基本情况
(一)公司股票简况 √适用□不适用
□适用√不适用 五、其他相关资料
(一)主要会计数据 单位：元 币种：人民币
√适用□不适用 2025年公司营业收入约123.85亿元，较上年增加约33.19亿元，同比增长约36.62%。其中，2025年刻蚀设备销售约98.32亿元，同比增长约35.12%；LPCVD设备销售约5.06亿元，同比增长约224.23%；公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。 2025年归属于母公司所有者的净利润约21.11亿元，较上年增加约4.96亿元，同比增长约30.69%，主要原因：（1）2025年营业收入增长36.62%下，毛利较上年增加约11.28亿元。（2）2025年公司研发投入约37.44亿元，同比增加约12.91亿元（增长约52.65%），2025年研发投入占公司研发费用24.75亿元，较上年增加约10.58亿元（增长约74.61%）。（3）经评估师评估，公司以公允价值计量且其变动计入当期损益的对外股权投资于2025年产生公允价值变动收益和投资收益合计约6.61亿元，较2024年的1.98亿元增加约4.64亿元。 2025年归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润约15.50亿元，较上年增加约1.62亿元，同比增长约11.64%，主要原因：2025年营业收入增长36.62%，毛利较上年增加约11.28亿元，以及2025年研发费用较上年增加约10.58亿元。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (三)境内外会计准则差异的说明： □适用√不适用 八、2025年分季度主要财务数据 单位：元 币种：人民币
□适用 √不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 单位：元 币种：人民币
□适用√不适用 十、存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润□适用√不适用 十一、非企业会计准则财务指标情况 √适用□不适用 单位：元 币种：人民币
无 选取的非企业会计准则财务指标或调整项目较上一年度发生变化的说明□适用√不适用 该非企业会计准则财务指标本期增减变化的原因 无 十二、采用公允价值计量的项目 √适用□不适用 单位：元 币种：人民币
□适用√不适用 第三节 管理层讨论与分析 一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明 (一)主要业务、主要产品或服务情况 报告期内，公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀 设备已可以覆盖大多数刻蚀的应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一 线客户，从65纳米到3纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用。中微公司最近十年着重开发多种导体 和半导体化学薄膜设备，如LPCVD、ALD、EPI设备等，并取得了可喜的进步。中微公司开发的 用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备早已在客户生产线上投入量产，并在全球氮化 镓基LEDMOCVD设备市场占据领先地位。此外，中微公司已全面布局光学和电子束量检测设备， 并开发多种泛半导体微观加工设备。 公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设 备、薄膜沉积设备、MOCVD设备及其他设备，其中主要产品的具体情况如下：报告期内，公司主营业务未发生变化。 新增重要非主营业务情况 □适用√不适用 (二)主要经营模式 1、盈利模式 公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED外延片、先进封装、MEMS等半导体产品的制造公司销售刻蚀设备、薄膜设备和MOCVD设备、提供配件及服务实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于设备相关配件销售及设备支持服务等。 2、研发模式 公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行性阶段、Alpha阶段、Beta阶段、量产阶段。 公司按照刻蚀设备、薄膜设备、MOCVD设备等不同研发对象和项目产品，组成了相对独立的研发团队。不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在电气工程、平台工程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方法，实现了人才、营运等资源在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，优化资源使用效率，使公司能够快速响应不断变化的研发要求，进行持续的技术创新。 3、采购模式 为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、研发和设计能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多标准要求的供应商，才可以被考虑纳入公司合格供应商名录，并定期审核。目前，公司已经与全球众多供应商建立了长期、稳定的合作关系。 4、生产模式 公司主要采用以销定产的生产模式，实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产方式。订单式生产是指公司在与客户签订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以应对客户的差异化需求。库存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内部需求及生产计划进行预生产，主要为快速响应交期及平衡产能。 5、营销及销售模式 公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式进行销售。公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国大陆、中国台湾、韩国、日本、新加坡、美国等国家或地区的销售和支持部门。 (三)所处行业情况 1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛 半导体设备行业是一个全球化程度较高的行业，受经济形势、半导体市场、终端消费市场需求等影响，其发展呈现一定的周期性波动。当宏观经济和终端消费市场需求变化较大时，客户会调整其资本性支出规模和对设备的采购计划，从而对公司的营业收入和盈利产生影响。 全球集成电路和以LED为代表的光电子器件的销售额合计占所有半导体产品销售额的90%以上，是半导体产品最重要的组成部分。公司所处的细分行业为半导体设备行业中的刻蚀设备行业、薄膜设备行业和LED设备行业中的MOCVD设备行业。 1、刻蚀和薄膜设备 集成电路设备包括晶圆制造设备、封装设备和测试设备等，晶圆制造设备的市场规模约占集成电路设备整体市场规模的80%。 晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、量检测、离子掺杂等品类，其中刻蚀设备、薄膜沉积设备、光刻设备是集成电路前道生产工艺中制程步骤数量庞大，工艺开发颇具挑战性的三类核心设备。根据Gartner历年统计，全球刻蚀设备、薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约22%和23%。 随着集成电路芯片制造工艺的进步，线宽关键尺寸不断缩小、芯片结构3D化，晶圆制造向3纳米以及更先进的工艺发展。由于目前先进工艺芯片加工使用的光刻机受到波长限制，14纳米及以下的逻辑器件微观结构的加工多通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合——多重模板工艺来实现，使得刻蚀等相关设备的加工步骤增多。由于存储器技术由二维转向三维架构，随着堆叠层数的增加，刻蚀设备和薄膜沉积设备越来越成为关键核心的设备。 2、MOCVD设备 MOCVD设备广泛应用于包括光学器件、功率器件等多种薄膜材料的制备，是目前化合物半导体材料外延的核心装备。MOCVD设备既能实现高难及复杂的化合物半导体材料生长，又能满足产业化对高效产出的需求，在化合物半导体芯片产业链中有着举足轻重的作用。 随着化合物半导体材料应用领域的不断拓展，MOCVD设备除用于制造通用照明和背光显示的LED，还可制造应用于高端显示的Mini-LED和Micro-LED、用于杀菌消毒和空气净化的紫外LED、应用于电力电子的功率器件等。随着这些新兴领域的不断出现，预计MOCVD设备的市场有望进一步扩大。 过去几年，LED外延芯片公司扩产的主要方向为蓝绿光外延片，下游应用也主要集中在照明市场。在Mini-LED背光及直接显示技术逐渐成熟，生产成本逐渐降低的推动下，近两年高端显示类的LED外延片需求量明显增加，并逐渐从商业显示向个人消费领域渗透。2025年，RGBMini-LED背光电视正在成为高端电视中的新生力量，加速了除传统蓝绿光Mini-LED外，红光Mini-LED的新增市场需求。Micro-LED显示技术也越来越受到业内关注，基于单色Micro-LED显示的AR眼镜已经实现了全面量产，基于Micro-LED的高端显示产品也开始实现小规模试生产，预计在未来几年将会有更多的新兴产品出现。总体上，LED外延片产品需求从单一的蓝光扩展到红绿蓝三色，外延材料增加了对砷化镓基红光外延片的需求。 此外，随着消费电子、电动汽车、智能驾驶、数据中心、新能源发电与储能等应用爆发式增长，带动功率半导体市场迎来高景气周期，尤其是氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体是近些年的行业热点。据Yole公司报告，氮化镓功率器件主要应用在高频中小电压范围，预计市场规模将从2024年的3.6亿美金快速增长到2030年超过29亿美金，复合年均增长率达42%。因此，面向氮化镓功率器件的外延设备的需求具有很大的增长空间。 2、公司所处的行业地位分析及其变化情况 目前半导体设备市场主要由欧美、日本等国家的企业所占据。近年来我国半导体设备行业整体水平不断提高。 在刻蚀设备方面，全球刻蚀设备市场呈现垄断格局，海外少数几家公司占据主要市场份额；公司刻蚀设备已应用于全球先进的3纳米及以下集成电路加工制造生产线。在海外先进的3纳米芯片生产线及下一代更先进的生产线上，公司的CCP刻蚀设备均实现了批量销售。公司的ICP双台机PrimoTwin-Star?，反应台之间刻蚀速度控制的最好精度已达到每分钟0.2A（0.02纳米，即20皮米），这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径的350万到500万分之一。受益于公司完整的单台和双台刻蚀设备布局、核心技术持续突破、产品升级快速迭代、刻蚀应用覆盖丰富等优势，2025年公司CCP和ICP刻蚀设备的销售增长和在国内主要客户芯片生产线上市占率不断提升。 公司近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，目前已有多款新型设备产品进入市场并获得重复性订单。其中，薄膜设备累计出货量已突破300个反应台，其他二十多种导体薄膜沉积设备也将陆续进入市场，能够覆盖全部类别的先进金属应用；公司硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获得客户高度认可。 在MOCVD领域，用于氮化镓基LED外延生产的设备已在行业领先客户生产线上大规模投入量产，自2017年起已经成为氮化镓基LED市场份额最大的MOCVD设备供应商，牢牢占据行业内的领先地位。公司在Micro-LED和高端显示领域的MOCVD设备开发上取得了良好进展，2025年已完成行业头部Micro-LED外延公司的量产验证。公司正积极布局用于氮化镓基功率器件领域，新型MOCVD设备目前已发往下游客户进行量产验证，为GaN功率器件外延设备的国产化做好充分准备。另外，AsP材料专用的MOCVD设备正在根据应用需求定制开发中，其中，面向红光LED和Mini-LED的AsP材料专用设备也已发往显示头部IDM公司进行量产验证，其他应用包括红光Micro-LED、光电子材料外延等也正在逐步推进中。 随着微观器件越做越小，量检测设备也成为了更关键的设备，为占总设备市场约13%的第四大设备门类。根据QYResearch调研数据，2024年全球量检测设备市场规模为120.8亿美元，预计2025-2031年复合年增长率（CAGR）将达4.9%，2031年有望增至168.3亿美元。公司通过投资和成立子公司，全面布局了量检测设备板块，子公司超微公司引入多名国际顶尖的电子束量检测设备领域专家和领军人才，均拥有10年以上电子束设备研发与产品商业化经验，已规划覆盖多种量检测设备产品。 同时，公司拟通过发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金的方式购买杭州众硅电子科技有限公司控股权实现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。这一整合不仅填补了上市公司在湿法设备领域的空白，更显著提升了公司在先进制程中为客户提供系统级整体解决方案的能力。 3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势随着芯片制程的不断提升，在每一代芯片新技术上，晶体管体积都在不断缩小，同时芯片性能不断提升，先进的芯片中已有超过100亿个晶体管。随着工艺的提升，先进芯片从平面结构过渡到复杂的三维架构。随着晶体管结构的复杂度不断提升，各种半导体设备技术的创新和突破起到决定性作用，对于刻蚀和薄膜沉积技术提出了更高的要求。 1、等离子刻蚀技术水平发展状况及未来发展趋势 刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差，通常用于工艺尺寸较大的应用，或用于干法刻蚀后清洗残留物等。等离子体干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术。 根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻蚀；根据被刻蚀材料类型的不同，干法刻蚀主要是刻蚀介质材料、硅材料和金属材料。电容性等离子体刻蚀主要是以高能离子在较硬的介质材料上，刻蚀高深宽比的深孔、沟槽等微观结构；而电感性等离子体刻蚀主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的或较薄的材料。这两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用。 电容性等离子体刻蚀反应腔 电感性等离子体刻蚀反应腔随着国际上先进芯片制程从3纳米阶段向更先进工艺的方向发展，当前光刻机受光波长的限 制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸，使得刻蚀技 术及相关设备的重要性进一步提升。下图展示二重和多重模板工艺原理，涉及多次刻蚀： 10纳米多重模板工艺原理，涉及更多次刻蚀芯片线宽的缩小及多重模板工艺等新制造工艺的采用，对刻蚀技术的精确度和重复性要求更高。刻蚀技术需要在刻蚀速率、各向异性、刻蚀偏差、选择比、深宽比、均匀性、残留物、等离子体引起的敏感器件损伤、颗粒沾污等指标上满足更高的要求，刻蚀设备随之更新进步。 集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。目前200层以上3DNAND闪存已进入大生产，更高层数正在开发。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数。刻蚀要在氧化硅和氮化硅的叠层结构上，加工40：1到60：1甚至更高的极深孔或极深的沟槽。3DNAND层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比，并且对刻蚀设备的需求比例进一步加大。 2DNAND及3DNAND示意图2、金属化学气相沉积薄膜设备在中前端金属化工艺中的发展状况与未来发展趋势 从上个世纪末开始，主流的半导体工艺节点开始采用钨作为接触孔材料，以减少纯铝连接对 前端器件的损伤，到如今钨依然是接触孔工艺的主流方案。伴随着技术节点的推进，器件外阻逐 渐超过内阻，成为影响器件速率的关键因素，同时器件密度的提高使得原本的单层接触孔结构向 多层接触孔演变。在先进的节点，钨接触孔是目前最有竞争力的解决方案之一。 CVD钨制程需要良好的附着和阻挡层，一般是用附着性、稳定性以及阻挡性都非常优秀的氮 化钛材料。在传统工艺中，关键尺寸比较大，填充难度不高，业界都是用物理气相沉积的方法来 沉积氮化钛。如今主流的逻辑和存储芯片接触孔或者连线的关键尺寸很小，深宽比很高，传统的 物理气相沉积氮化钛由于较低的阶梯覆盖率，不能够满足高端器件的需求。原子层沉积的氮化钛 具有优秀的阶梯覆盖率，逐渐成为接触孔阻挡层和粘结层的主要选择。 随着3DNAND堆叠层数增加，阶梯接触孔的深宽比会达到40：1到60：1以上，这对氮化 钛阻挡层的生长和极高深宽比的钨填充都提出了更高的要求，堆叠层数的提高还需要更具挑战性 的WL线路填充，包括更高的深宽比和更长的横向填充。同时，先进逻辑器件工艺节点向3纳米及更先进工艺方向发展，器件互联电阻逐渐增大成为 影响器件速度的关键因素。在90纳米到28纳米的传统工艺节点中，降低接触孔电阻的关键是降 低钨膜的电阻率。但是在14纳米及更先进工艺节点，金属阻挡层、金属形核层对接触孔阻值的影 响越来越明显，如何减少或者消除阻挡层和形核层的电阻是降低接触孔电阻的关键。钴、钼、钌 等金属的应用以及无阻挡层的工艺也在更先进工艺节点上开发和应用。 随着逻辑器件制程的进步，栅极作为逻辑器件中的重要组成部分，其类型逐渐由多晶硅栅极 向金属栅极发展，进而大大地提高了器件的性能。从28nm技术节点开始，金属栅极成为了先进 逻辑器件的重要基础，并且一直沿用至今。先进逻辑器件,尤其是采用鳍式场效应晶体管之后，对 金属栅薄膜均匀性，污染物控制，稳定性，功函数调节和台阶覆盖率都提出了更高的要求，从而 提高器件的性能和稳定性。 以上在先进逻辑和存储器件中的新工艺都要通过先进的金属CVD或ALD来实现。3、MOCVD设备行业在新技术方面近年来的发展情况与未来发展趋势 制造照明用蓝光LED外延片的MOCVD技术已达到成熟量产的阶段，应用于Mini-LED新型显示的MOCVD设备发展较为迅速，整体产业技术从专注于白光Mini-LED背光逐渐升级向RGBMini-LED背光和小间距直显等性能更为卓越的显示方案。MOCVD设备的迭代更新主要目标是在提高大规模生产的前提下满足外延生长的性能要求、从而达到降低生产成本、提高生产效率的目的。此外，开发面向AsP材料的专用MOCVD设备，从而覆盖红光LED和Mini-LED的应用需求，是报告期内一个新的发展趋势。主要的发展路径包括：具备大尺寸、多片外延材料的生长能力，满足高均匀性和高生产效率的指标要求。 应用于Micro-LED高端显示的MOCVD设备对外延片在产出波长均匀性、颗粒度等方面有更为苛刻的技术要求，以此降低Micro-LED应用的制造成本，加速高品质显示应用的推广。MOCVD设备发展的主要方向将在提升产出波长均匀性，减少外延片颗粒度，提升设备的自动化性能以及 大尺寸外延片生长能力等方面进行。应用于氮化镓功率器件生产的MOCVD设备处于快速发展阶 段。基于硅基衬底的氮化镓功率器件是当前应用端采用的主流技术。相比于蓝宝石异质外延，硅 基氮化镓异质外延会引入了更高的应力，这对外延的均匀性和应力控制提出了更高的挑战。因此， 需要对量产型MOCVD设备的温度场、气体流动场和多方位的监测控制进行更精细的迭代优化。 二、经营情况讨论与分析 半导体设备是集成电路和泛半导体微观器件产业的基石，而集成电路和泛半导体微观器件， 又是数码时代的基础。半导体设备微观加工的能力是数码产业发展最卡脖子的关键，“半导体行业 的未来，制造设备是关键”，没有能加工微米和纳米尺度的光刻机、等离子体刻蚀机和薄膜沉积等 设备，就不可能制造出集成电路和微观器件。随着微观器件越做越小，结构越做越复杂，半导体 设备的极端重要性更加凸显出来。一个国家要成为数码时代的强国，至关重要的是要成为半导体 微观加工设备的强国。近年来数码产业蓬勃发展，已成为国民经济发展的重要引擎。随着数码产业的发展，全球半导体芯片和晶圆制造领域的持续投资，促进了半导体设备行业的快速发展。数码产业占全球企业总产值40%以上，而且在不断增长，和传统工业已经成为国民经济的两大支柱，数码产业的发展正在彻底改变人类的生产方式和生活方式。半导体微观加工设备是发展集成电路和数码产业的关键，已成为人们最关注的硬科技产业之一。 中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，虽然在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比还有一定的差距，但发展迅速并已初具规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升。 中微公司的主营产品等离子体刻蚀设备和薄膜设备作为光刻机之外的核心微观加工设备，其 制程步骤复杂度与工艺开发难度均在业内处于突出地位。微观器件的不断缩小推动了器件结构和 加工制程的革命性变化。存储器件内部架构从2D到3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为 关键的核心步骤，对这两类设备的需求量大大增加。光刻机由于波长的限制，先进的微观结构要 靠等离子体刻蚀和薄膜的组合“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重 要性不断提高，这给主要提供等离子体刻蚀设备和薄膜设备的中微公司带来了高速成长机会。此 外，量检测设备市场增长速度很快，已成为占半导体前道设备总市场约13%的第四大设备门类。 量检测设备市场主要分为光学量检测设备和电子束量检测设备，其中公司发起设立的超微公司， 重点开发电子束量检测设备等，公司将通过各种方式扩大对多门类量检测设备的市场参与和覆盖。公司的等离子体刻蚀设备及薄膜沉积设备持续获得众多客户的认可，针对芯片制造中关键工艺的高端产品新增付运量及销售额显著提升。公司站在先进制程工艺发展最前沿，始终强调技术创新、产品差异化和知识产权保护的基本原则，并保持高强度的研发投入。目前在研项目涵盖六类设备，总共有超过二十款新设备在开发中。新产品开发已经取得了显著成效，近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，已有多款新型设备顺利进入市场并获得重要客户的重复性订单。其中，薄膜设备累计出货量已突破300个反应台，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目的研发进程均比较顺利，有望尽快进入客户验证阶段。公司EPI设备已进入客户端量产验证阶段。公司在Micro-LED和高端显示领域的MOCVD设备开发及客户验证上取得了良好进展，并正在开发用于碳化硅和氮化镓基功率器件应用的相关设备。 同时，公司拟通过发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金的方式购买杭州众硅电子科技有限公司控股权实现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。这一整合不仅填补了上市公司在湿法设备领域的空白，更显著提升了公司在先进制程中为客户提供系统级整体解决方案的能力。面对先进晶圆厂和先进存储厂对工艺协同性、产线稳定性与整体效率日益严苛的要求，上市公司可为客户提供高度协同的成套设备解决方案，大幅缩短工艺调试和验证周期，从而增强客户黏性，加速上市公司在主流产线的规模化渗透。 公司继续瞄准世界科技前沿，持续践行三维立体发展战略，深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、安全发展。公司坚持以市场和客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，推动以研发创新为驱动的高质量增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化精细化生产经营，公司在刻蚀设备、薄膜设备、MOCVD设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展，产品不断获得海内外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支撑。 公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局其他新业绩增长点，子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的诸多公司在各自细分领域取得了卓有成效的进展。 此外，为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司在上海临港新片区建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地，在广州建设华南总部研发及生产基地，在成都建设成都研发及生产基地暨西南总部项目。公司位于南昌的约14万平方米的生产和研发基地已于2023年7月正式投入使用；公司在上海临港的约18万平方米的生产和研发基地已于2024年8月正式投入使用，临港二期约20万平方米的生产和研发基地拟于2026年下半年开工建设；上海临港滴水湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设；位于广州的华南总部研发及生产基地总体规划占地约130亩，2025年9月开工建设的一期项目占地约50亩，预计2026年年底建成，2027年投产；成都研发及生产基地暨西南总部一期项目占地约50亩，于2025年10月正式启动建设，预计2027年投产；为今后的发展夯实基础。 报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断向国际先进水平的方向努力，实现公司高速、稳定、健康、安全发展。 报告期内重点任务完成情况 报告期内，公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营、外延式生长等方面取得了积极成果： 1、产品研发及客户拓展方面 公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好。2025年公司研发投入约37.44亿元，较去年增长12.91亿元，同比增长约52.65%，研发投入占公司营业收入比例约为30.23%，远高于科创板上市公司的平均研发投入水平。 公司主营产品等离子体刻蚀设备作为半导体前道核心设备之一，市场空间广阔，技术壁垒较高。公司的等离子体刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可，针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件超高深宽比刻蚀工艺实现量产。 公司在新产品开发方面取得了显著成效，近两年新开发出十多种导体和介质薄膜设备，目前已有多款新型设备产品进入市场，其中部分设备已获得重复性订单，LPCVD设备累计出货量突破三百个反应台，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进；公司EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段。 公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位，积极布局用于碳化硅和氮化镓基功率器件应用的市场，并在Micro-LED和其他显示领域的专用MOCVD设备开发上取得了良好进展，几款MOCVD新产品进入客户端验证阶段。公司新型八寸碳化硅外延设备、新型红黄光LED应用的设备已付运至国内领先客户开展验证，目前进展顺利。 报告期内，公司发挥产品技术及销售服务竞争优势，不断强化公司技术和品牌优势，持续深化同海内外客户的业务合作，以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。在持续改善量产机台的运行时间和生产效率的同时，研发团队和客户紧密合作，进行更多的关键制程的工艺开发和验证，进一步提高产品的技术先进性和市场竞争力，以拓宽机台的生产能力并赢得更多的制程量产机会。 公司主要产品的进展情况如下： （1）CCP刻蚀设备 公司CCP刻蚀设备中双反应台PrimoD-RIE、PrimoAD-RIE、PrimoAD-RIEe，单反应台PrimoHD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线，2025年继续保持高速增长态势，单年付运超过1000个反应台。用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品PrimoHD-RIEe，和用于超高深宽比刻蚀工艺的PrimoUD-RIE付运量继续增加。2025年CCP刻蚀设备累计装机量超过5000反应台，连续十年保持大于30%的年平均复合增长率。 公司已有的刻蚀产品已经对绝大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。针对更加先进的7纳米及以下的逻辑器件生产中所需要的更高选择比和均匀度的接触孔，通孔以及金属掩膜大马士革工艺，公司在可调节电极间距的双反应台CCP刻蚀机PrimoSD-RIE的基础上，基于新的平台开发了具有可调电极间距的单反应台刻蚀产品。该产品在具备可调节电极间距的基础上，可以灵活调节等离子体分布；同时增加了腔体加热和聚焦环控温功能，可以更有效地保持反应腔稳定性；同时还具备5路快速切换气体，可以满足更先进器件CCP刻蚀工艺中氧化硅和氮化硅原子层刻蚀的需求。目前产品样机已经在实验室搭建完成，预计2026年第一季度进行工艺验证和马拉松测试。 公司开发的晶边刻蚀设备PrimoHalona2025年付运到国内领先的逻辑客户进行现场验证。该产品基于中微公司成熟的双反应台平台，采用高效率四手臂机械手，在实现高产出效率的同时降低生产成本。其腔体采用耐腐蚀设计，可以兼容多种腐蚀性气体，在同一腔体实现了有机物，氧化硅，金属和金属氧化物的刻蚀，满足各种晶边刻蚀的应用需求。同时该设备可选配集成量测模块，实现在同一平台晶边刻蚀工艺的刻蚀率和偏心度的检测，极大提升工艺精准度和生产效率。 在存储器件制造工艺中，公司的产品可以覆盖绝大部分刻蚀应用，2025年针对存储器件刻蚀工艺的新增装机占比继续提升。公司完全自主开发的针对超高深宽比刻蚀工艺的PrimoUD-RIE的工艺能力得到进一步验证，在2024年实现超高深宽比深孔刻蚀工艺大规模量产的基础上，2025年实现了超高深宽比沟槽刻蚀的大规模量产。公司针对更先进三维存储器件超高深宽比刻蚀工艺的下一代产品实验室研发阶段已经完成，该产品采用全新腔体结构设计，适用于高腐蚀性气体和超低温刻蚀工艺，刻蚀工艺显著减少碳氟气体使用，刻蚀效率较上一代产品提升明显，可以显著提升生产效率，降低生产成本并实现更低的环境影响。 （2）ICP刻蚀设备 报告期内，公司的ICP刻蚀设备包括PrimoTwin-Star、Primonanova、PrimoMenova等产品在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并继续验证更多ICP刻蚀工艺。2025年，ICP刻蚀设备在客户端的累计安装数达到1800个反应台，近9年年均增长大于100%。 报告期内，公司NanovaLUX-Cryo在客户端认证通过，并取得重复订单，在客户的下一代产品的产线上实现量产。与此同时，下一代ICP刻蚀设备的Alpha机在实验室开展多个客户的工艺验证，Beta机器计划2026年初去客户端认证。PrimoTwin-Star则在海内外客户的逻辑芯片、功率器件、微型发光二极管Micro-LED、AR和VR智能眼镜用的超透镜（Metalens）等特色器件的产线上实现量产，装机量快速增长。公司的PrimoMenova金属刻蚀设备，在客户端认证顺利，已投入量产。 报告期内，公司ICP刻蚀设备类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司PrimoTSV300E刻蚀设备拓展了新的市场。与此同时，公司针对更高金属污染和颗粒物控制要求等技术需求的第三代硅通孔刻蚀机PrimoTwin-StarDSE的Alpha机搭建完成，并开始客户的工艺验证。 此外，报告期内，公司根据客户和市场技术发展需求，有序推进更多ICP刻蚀技术的研发，特别是先进高选择比技术的研发，为未来推出更多的刻蚀设备做技术储备，以满足三维逻辑、三维DRAM和更多堆叠的3DNAND存储等芯片制造对ICP刻蚀的需求。 （3）薄膜沉积设备研发 公司开发的多款薄膜沉积产品已推向市场。中微公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气相沉积）钨设备，HAR（高深宽比）钨设备和ALD（原子层沉积）钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用；该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互连应用（包含高深宽比金属互连应用）及三维存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订单。 同时，公司钨系列产品也可满足先进逻辑器件中多道金属钨互连应用需求，已通过关键逻辑客户端现场验证，满足先进逻辑应用中各项性能指标，已获得客户重复量产订单。此外，公司钨系列产品也通过了特殊器件客户金属钨应用现场验证。基于公司钨系列产品独特的性能优势，已顺利完成先进逻辑，先进存储和特殊器件的现场验证，未来将进一步扩大市场占有率。 同期，公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品：ALD氮化钛，ALD钛铝，ALD氮化钽产品，已完成多个先进逻辑客户设备验证，可满足先进逻辑客户性能需求的同时，设备的薄膜均一性，污染物控制和生产效率均达到世界先进水平。该系列设备已付运到多个先进逻辑客户端进行验证，核准推进顺利。其中，ALD氮化钛薄膜也是先进存储器件中钨填充阻挡层和粘结层的主要选择，公司开发的ALD氮化钛设备可满足先进存储器件高深宽比及三维结构的台阶覆盖率需求及各项性能指标，并已通过多个关键存储客户的样品验证，有利于进一步扩大市场规模。 中微公司在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，同步推进多款CVD、ALD等设备开发，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。 公司的薄膜沉积设备采用独特的双腔设计，每个腔体可独立进行工艺调节，保证产品性能的 同时，大大提高了生产效率，降低了材料成本。此外，中微独立自主的IP设计，确保了更优化的产品性能，也保障了产品未来的可持续发展。 公司EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经开发出具有自主知识产权及创新的平台，预处理和外延反应腔。目前公司减压EPI设备已顺利付运成熟制程客户进行量产验证。设备已经进入先进制程客户验证阶段，部分先进工艺已进入量产验证。新一代高选择比预清洁腔体满足先进工艺的需求，已在客户端进行量产验证；常压外延设备现已完成开发，进入工艺验证阶段。 报告期内，公司用于蓝光照明的PRISMOA7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于 Mini-LED显示的PRISMOUniMax等产品持续服务客户。截止2025年，公司持续保持国际氮化 镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMOUniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借 其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，在Mini-LED显示外延片 生产设备领域处于国际领先。（图：PRISMOUniMaxMOCVD设备） 公司于2023年底付运Micro-LED应用的设备样机PreciomoUdx至国内领先客户开展生产验 证。报告期内样机验证进展顺利，其性能与可靠性已满足客户产线要求，并获得客户的重复订单。 同时，公司正进一步推进该新产品在Micro-LED市场的应用拓展与推广。随着电动汽车、消费电子、人工智能、风力与光伏储能和轨道交通等应用的快速发展，市场 对氮化镓和碳化硅功率器件的需求呈现爆发式增长。公司已经建立了氮化镓LED外延装备的优势， 在此基础上，进一步研发了面向硅基氮化镓异质外延功率器件的专用设备。于2022年推出了用于 氮化镓功率器件生产应用的MOCVD设备PRISMOPD5，目前已交付客户进行生产验证，并取得 了重复订单。除此之外，公司正开发新一代氮化镓功率器件应用的MOCVD设备，将进一步提升 设备性能，降低客户生产成本；报告期内，公司已付运新型氮化镓功率器件应用MOCVD设备至 领先客户端开展生产验证。 同时，公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，报告期内，公司持续提升 优化该设备的工艺性能，并与多家行业领先客户开展技术对接和商务洽谈。目前，该新型8”碳化 硅外延设备已进入国内头部企业的试产验证阶段。 此外，公司也紧跟市场发展趋势，积极拓展MOCVD设备的应用范围，进一步推进应用于红 黄光LED的MOCVD设备开发，实验室已实现了优良的LED波长均匀性能。报告期内，公司已 付运红黄光LED应用的设备样机至国内领先客户开展生产验证，目前样机验证进展顺利。 （5）先进封装相关设备 报告期内，公司用于2.5D、3D先进封装硅通孔的PrimoTSV300E产品持续服务客户，并获 得重复订单。公司用于先进封装等离子体切割的PrimoMatrix正与多家重要客户开展商务洽谈。 同时，PrimoTSV300E在12英寸的高深宽比深槽电容刻蚀和SoIC WoW（WaferonWafer）工 艺上完成工艺开发，并在国内头部客户产线上成功验证。 此外，公司也紧跟市场发展趋势，在继续深耕先进封装所用的第三代TSV刻蚀机开发的同时， 大力拓展先进封装产品的平台化；报告期内，公司启动了先进封装所用的CuBSPVD集成设备开 发，目前两款设备均开发顺利，报告期内得到了优良的工艺结果，正与多家领先客户开展商务洽 谈。 （6）气体净化设备 子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理，开发制造了平板显示领域气体净化设备。设备可根 据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和节能的净化解决方 案。此外，中微惠创与德国DAS环境专家有限公司继续开展战略合作，双方在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，目前已经批量生产制造净化设备，并顺利地应用在各个客户端，共同推动环保科技行业的发展。 （图：气体净化设备） （7）分布式生态工业互联网平台 子公司中微汇链基于多年来在中微公司沉淀的业务管理经验以及在高科技制造领域多家企业的数字化服务实践经验，研发和推广数字化运营体系及产品，专注服务以集成电路为代表的高科技制造行业与行业内企业。 汇链推出的“We”系列数字化产品为提升企业从研发、制造，到质量、售后的管理能力，助力企业融入产业生态，为高科技制造产业打造企业间协同互信、资源共享的生态型平台We-Linkin。 目前，中微汇链产品已涵盖超80+个场景应用、超900+项微服务功能。 基于半导体产业数字化领域的战略布局，专注为中国半导体设备、核心零部件及特种材料领域的科创型、高成长性企业，提供端到端的数字化运营整体解决方案。以“研发运营一体化、运营管理指标化”为核心理念的产业数字合伙人，致力于帮助客户将技术创新高效、可靠地转化为市场成功与可持续增长。汇链科技已成功服务超过50家半导体领域的科创企业，产业链数字化解决方案覆盖率85%。我们正从“解决方案提供商”向“产业效率平台”演进，通过积累的行业经验与知识模型，未来为企业提供更智能的管理范式、供应链协同网络及产业资源对接服务，成为推动中国半导体产业自主化与高质量发展的重要数字基座。（未完）  |